PCB기술 - 다층 PCB의 적층 방식을 선택하는 방법

1. 스태킹 방식 1: 상단, gnd2, pwr3, 하단

이 체계는 업계에서 주류 4계층 솔루션입니다.배선층인 상단 아래에 완벽한 접지면이 있습니다.레이어 두께가 설정되면 전원 공급 장치와 접지면의 분포 임피던스를 줄이고 평면 커패시턴스 필터링 효과를 보장하기 위해 접지면 레이어와 전원 평면 레이어 사이의 코어 플레이트 두께가 너무 두꺼워서는 안됩니다.

2. 스태킹 방식 2: 상단, pwr2, gnd3 및 하단

주요 구성 요소 표면이 하단 레이어에 설계되었거나 주요 신호 라인이 하단 레이어에 있는 경우 세 번째 레이어는 완전한 접지면에 배치되어야 합니다. 레이어 두께 설정 시 접지면 레이어와 파워플레인 레이어 사이의 코어 플레이트 두께는 너무 두껍지 않아야 합니다.

3. 스태킹 방식 3: GND1, S2, S3, gnd4 / pwr4

이 방식은 일반적으로 인터페이스 필터 보드 및 백플레인 설계에 사용됩니다. 보드 전체에 전원 플레인이 없기 때문에 GND와 PGND는 각각 레이어와 네 번째 레이어에 배치됩니다. 표층(상층)에는 소수의 짧은 전선만 허용됩니다. 유사하게, 기준 평면을 보장하고 표면 배선의 스택 대칭을 제어하기 위해 S02 및 S03 배선 층에 구리를 깔았습니다.

6층 플레이트 적층의 설계 방식

1. 스태킹 방식 1: 상단, gnd2, S3, pwr4, gnd5 및 하단. 이 방식은 3개의 배선 레이어와 3개의 기준면을 포함하는 업계의 주류 6레이어 솔루션입니다. 레이어 4와 레이어 5 사이의 코어 두께는 더 낮은 전송 라인 임피던스를 얻기 위해 너무 두꺼워서는 안 됩니다. 낮은 임피던스는 전원 공급 장치의 디커플링 효과를 향상시킬 수 있습니다.

세 번째 레이어는 배선 레이어입니다. 신호 무결성을 보장하고 EMI 에너지에 저항하려면 클록 라인과 같은 고위험 와이어를 이 레이어에 배치해야 합니다. 맨 아래 레이어는 두 번째로 좋은 배선 레이어입니다. 맨 위 레이어는 연결 가능한 레이어입니다.

2. 스태킹 방식 2: 상단, gnd2, S3, S4, pwr5 및 하단. 회로 기판에 배선이 너무 많아 3개의 배선 레이어를 제대로 배열할 수 없는 경우 이 적층 방식을 채택할 수 있습니다. 이 방식에는 4개의 배선 레이어와 2개의 참조 플레인이 있지만 전원 플레인과 접지 플레인 사이에는 2개의 신호 층이 있으며 전원 공급 플레인과 접지 플레인 사이에는 전력 디커플링이 없습니다.

세 번째 레이어는 접지면에 가깝기 때문에 배선 레이어이며 클록과 같은 고위험 라인을 배치해야 합니다. 제1층, 제4층 및 제6층이 배선층이다.

3. 스태킹 방식 3: 상단, S2, gnd3, pwr4, S5 및 하단. 이 구성표에는 4개의 배선 레이어와 2개의 참조 평면도 있습니다. 이 구조의 전원 평면/접지 평면은 더 낮은 전력 임피던스와 더 나은 전력 감결합 효과를 제공할 수 있는 작은 간격 구조를 채택합니다.

상단 및 하단 레이어는 불량 배선 레이어입니다. 접지면 근처의 두 번째 레이어는 클록과 같은 고위험 신호 라인을 배치하는 데 사용할 수 있는 배선 레이어입니다. RF CO 전류 경로를 보장하는 조건에서 레이어 5는 다른 고위험 신호 라인의 배선 레이어로 사용할 수도 있습니다. 교차 배선은 레이어 1과 2, 5, 6에서 사용되어야 합니다.

8층 라미네이트 설계도

1. 스태킹 방식 1: 상단, gnd2, S3, gnd4, pwr5, S6, gnd7 및 하단. 이 방식은 현재 업계에서 4개의 배선 레이어와 4개의 레퍼런스 플레인이 있는 8레이어 PCB에 대한 주요 레이어 선택 방식입니다. 이 적층 구조의 신호 무결성 및 EMC 특성은 모두 양호하고 전원 공급 장치의 디커플링 효과를 얻을 수 있습니다.

상단 및 하단 레이어는 EMI 라우팅 가능 레이어입니다. 레이어 3 및 레이어 6 인접 레이어는 참조 평면, 예, 배선 레이어입니다. 세 번째 레이어는 접지면이므로 라우팅 레이어입니다. 레이어 4와 레이어 5 사이의 코어 플레이트의 두께는 전원 공급 장치의 디커플링 효과를 향상시킬 수 있는 낮은 전송 라인 임피던스를 얻기 위해 너무 두꺼워서는 안 됩니다.

2. 스택 방식 2: 상단, gnd2, S3, pwr4, gnd5, S6, pwr7 및 하단. 계획 1과 비교하여 이 계획 은 여러 종류의 전원이 있고 하나의 파워 플레인 이 감당할 수 없는 상황에 적용할 수 있다. 세 번째 레이어는 배선 레이어입니다. 주 전원 공급 장치는 주 접지에 인접할 수 있는 네 번째 레이어에 배치되어야 합니다.

전원 공급 장치의 디커플링 효과를 개선하려면 접지 구리를 바닥층에 포장해야 합니다. PCB의 균형을 맞추고 뒤틀림을 줄이기 위해 최상층도 구리로 덮어야 합니다.

3. 스태킹 방식 3: 상단, S2, gnd3, S4, S5, pwr6, S7 및 하단. 이 구성표에는 6개의 배선 레이어와 2개의 참조 평면이 있습니다. 이 적층 구조의 전원 디커플링 특성은 매우 열악하고 EMI 억제 효과도 매우 나쁩니다. 상하층은 EMI 특성이 좋지 않은 배선층입니다. 접지면에 가까운 두 번째 및 네 번째 레이어는 클럭 라인의 배선 레이어이며 교차 배선을 채택해야 합니다.

전원 플레인에 가까운 레이어 5와 7은 허용되는 배선 레이어입니다. 이 방식은 일반적으로 칩 장치가 적은 8층 백플레인 설계에 사용됩니다. 표면층에 소켓만 있기 때문에 표면층은 넓은 면적을 구리로 덮을 수 있습니다.